-
1 пробой оксидной изоляции
( затвора МОП-транзистора) OxiddurchbruchRussian-german polytechnic dictionary > пробой оксидной изоляции
-
2 пробой оксидной изоляции
nmicroel. Oxiddurchbruch (затвора МОП-транзистора)Универсальный русско-немецкий словарь > пробой оксидной изоляции
См. также в других словарях:
МОП-структура — (металл оксид полупроводник) наиболее широко используемый тип полевых транзисторов. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем оксида кремния SiO2. В общем случае структуру называют МДП (металл … … Википедия
N-МОП — Эта статья или раздел нуждается в переработке. Пожалуйста, улучшите статью в соответствии с правилами написания статей … Википедия
ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… … Энциклопедия Кольера
BSIM4 — BSIM4 новое поколение физических моделей транзисторов, с расширенными возможностями, на 100 нм технологии. Содержание 1 МОП транзисторы 1.1 Классификация моделей транзисторов … Википедия
Память с изменением фазового состояния — Для термина «PCM» см. другие значения. Типы компьютерной памяти Энергозависимая DRAM (в том числе DDR SDRAM) SRAM Перспективные T RAM Z RAM TTRAM Из истории Память на линиях задержки Запоминающая электронстатическая трубка Запоминающая ЭЛТ Эн … Википедия
Toshiba — (Тошиба) Компания Toshiba, её история и деятельность. Прибыль и показатели компании Toshiba. Представительство Toshiba в России. Содержание Раздел 1. История Раздел 1.1. Рост мирового гиганта Раздел 2. Деятельность фирмы Раздел 2.1. Показатели… … Энциклопедия инвестора
Аналоговая интегральная схема — Аналоговая интегральная (микро)схема (АИС, АИМС) ИМС, входные и выходные сигналы которой изменяются по закону непрерывной функции (т.е. являются аналоговыми сигналами)[1]. Содержание 1 История 2 Назначение … Википедия
ГОСТ 25532-89: Приборы с переносом заряда фоточувствительные. Термины и определения — Терминология ГОСТ 25532 89: Приборы с переносом заряда фоточувствительные. Термины и определения оригинал документа: 21. Абсолютная неравномерность выходного сигнала ФППЗ Разность максимального и минимального значений выходного сигнала ФППЗ по… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Electric — Стиль этой статьи неэнциклопедичен или нарушает нормы русского языка. Статью следует исправить согласно стилистическим правилам Википедии … Википедия
High-k — High k технология производства МОП полупроводниковых приборов с подзатворным диэлектриком, выполненным из материала с диэлектрической проницаемостью большей, чем у диоксида кремния. Название происходит от диэлектрической константы материала … Википедия
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР — транзистор, в к ром управление протекающим через него током осуществляется электрич. полем, перпендикулярным направлению тока. Принцип работы П. т., сформулированный в 1920 х гг., поясняется на рис. 1. Тонкая пластинка полупроводника (канал)… … Физическая энциклопедия